コンバーター用パワー半導体(その他)

コンバーター用パワー半導体(GaNデバイス)

GaN デバイス窒化ガリウム(GaN)を素材にする次世代の低発熱のパワー半導体。

電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド(PHV)では、充電の際に、交流ACから直流DCに変換するAC/DCコンバータが必要になる。また、12V系発電システムが廃止されるため、メインバッテリー200V~400Vから電圧変換し、補機バッテリー12Vへ充電するDC/DCコンバーターという種類もある。これらのコンバーターにはパワー半導体が使用される。

GaN デバイスはシリコン(Si)の代わりに窒化ガリウム(GaN)を使用する。電力損失は理論上約3桁小さいオン抵抗が特徴。高速スイッチングを実現できるパワー半導体。発熱量も大幅に減り、冷却システムも簡素化する。

画像は豊田合成製GaNコンバーター。

サイズ

50㎜

構成

pn接合形FET(電圧制御)

材質

窒化ガリウム(GaN)、エポキシ樹脂EP

工法

マスク(パターン形成)→ウェハー処理(FET形成→配線→検査)→組み立て(パッケージ)

シェアする

  • このエントリーをはてなブックマークに追加

フォローする