EEPROM

EEPROM

※EEPROMは通電がなくても記憶する※ROM の一種。バイト単位で細かく書き換えできる。コンピュータなどの電子機器で電源を切っても保持しておくべき、設定条件などのデータを格納するのに使われている。

フラッシュメモリはこのEEPROMの改良版。フラッシュメモリは数十キロバイト単位で大きく書き換える。そのため回路が簡素化され安価に大容量化が実現されている。ただしフラッシュメモリのデータ読み書き速度は、※DRAM/※SRAMのどちらと比べても基本的に遅い。しかし、フラッシュメモリは安価なため、SDメモリーカードやUSBメモリのような携帯用の記憶デバイスとして使われている。

<用語解説>

※ROM (Read Only Memory):通電がなくても記憶する半導体記憶装置

※EEPROM(Electric Erasable Programmable Read Only Memory):バイト単位で細かく書き換えできる

※FLASH  EEPROM:低速、低価格。フラッシュメモリ-のこと数十キロバイト単位で大きく書き換える。

※RAM(Random Access Memory):通電をやめると記憶が失われる半導体記憶装置

※DRAM(Dynamic RAM):安価で大容量。作業用のメインメモリー用途

※SRAM(Static RAM):少容量だが処理速度は最速、はるかに高価格。CPU内部のキャッシュメモリ用途

サイズ

5㎜~30㎜

構成

EEPROM、フラッシュメモリ (FLASH  EEPROM)

材質

シリコーンウエハー、リード線、樹脂モールド(熱硬化性エポキシ樹脂)

工法

前工程

①成膜工程②露光・現象工程③エッチング工程④不純物拡散工程

後工程

①ダイシング②マウント③ボンディング④モールド⑤マーキング

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