パワーECU用パワー半導体(SiCデバイス)
シリコン(Si)の代わりにシリコンカーバイド（SiC）を使用した次世代パワーデバイス。小型化、低発熱が目的。電力損失は半分以下、発熱量も減り、冷却システムも簡素化する。
サイズ
50㎜
構成
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET）:金属酸化膜半導体※FET
※FET（ Field Effect Transistor）：電界効果トランジスタ。電圧制御
材質
シリコンカーバイド（SiC）、エポキシ樹脂EP
工法
マスク（パターン形成）→ウェハー処理（FET形成→配線→検査）→組み立て(パッケージ)
