パワーECU用パワー半導体(SiCデバイス)
シリコン(Si)の代わりにシリコンカーバイド(SiC)を使用した次世代パワーデバイス。小型化、低発熱が目的。電力損失は半分以下、発熱量も減り、冷却システムも簡素化する。
サイズ
50㎜
構成
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET):金属酸化膜半導体※FET
※FET( Field Effect Transistor):電界効果トランジスタ。電圧制御
材質
シリコンカーバイド(SiC)、エポキシ樹脂EP
工法
マスク(パターン形成)→ウェハー処理(FET形成→配線→検査)→組み立て(パッケージ)