パワーECU用パワー半導体(SiCデバイス)

パワーECU用パワー半導体(SiCデバイス)

シリコン(Si)の代わりにシリコンカーバイド(SiC)を使用した次世代パワーデバイス。小型化、低発熱が目的。電力損失は半分以下、発熱量も減り、冷却システムも簡素化する。

サイズ

50㎜

構成

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET):金属酸化膜半導体※FET

※FET( Field Effect Transistor):電界効果トランジスタ。電圧制御

材質

シリコンカーバイド(SiC)、エポキシ樹脂EP

工法

マスク(パターン形成)→ウェハー処理(FET形成→配線→検査)→組み立て(パッケージ)

シェアする

  • このエントリーをはてなブックマークに追加

フォローする