DC-DCコンバーター用パワー半導体

DC-DCコンバーターはインバーターとともにパワーコントロールユニット(PCU)を構成する。

コンバーターにはパワー半導体が使用される。パワー半導体はIGBTデバイス、SiCデバイス、GANデバイスなどが使用される。高温となるため冷却が必要になる。

冷却方式はヒートシンクにグリースを介して放熱する方式や、ろう付けした放熱フィンを冷却水に浸す直接冷却方式、チップの両側に放熱フィンを配置した両面冷却方式などがある。

次世代SiCデバイス

SiCデバイスシリコンカーバイド(SiC)を素材にする次世代の低発熱のパワー半導体。

従来のシリコン (Si)ベースのパワー半導体ではスイッチング損失が大きく、大電力や高周波用途では発熱が大きい欠点がある。そのため、次世代型パワー半導体ではシリコン(Si)の代わりに発熱の少ないシリコンカーバイド(SiC)を使い小型、高応答性、低発熱として、電力損失は半分以下、冷却システムも簡素化する。

サイズ

50㎜

構成

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET):金属酸化膜半導体※FET

※FET( Field Effect Transistor):電界効果トランジスタ。電圧制御

材質

シリコンカーバイド(SiC)、エポキシ樹脂EP

工法

マスク(パターン形成)→ウェハー処理(FET形成→配線→検査)→組み立て(パッケージ)

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