コンバーター用パワー半導体(SiCデバイス)

コンバーター用パワー半導体(SiCデバイス)

SiCデバイスシリコンカーバイド(SiC)を素材にする次世代の低発熱のパワー半導体。

電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド(PHV)では、充電の際に、交流ACから直流DCに変換するAC/DCコンバータが必要になる。また、12V系発電システムが廃止されるため、メインバッテリー200V~400Vから電圧変換し、補機バッテリー12Vへ充電するDC/DCコンバーターという種類もある。これらのコンバーターにはパワー半導体が使用される。

従来のシリコン (Si)ベースのパワー半導体ではスイッチング損失が大きく、大電力や高周波用途では発熱が大きい欠点がある。そのため、次世代型としてシリコン(Si)の代わりに発熱の少ないシリコンカーバイド(SiC)を使い小型、高応答性、低発熱なパワー半導体(SiCデバイス)が開発されている。電力損失は半分以下、発熱量も減り、冷却システムも簡素化する。

サイズ

50㎜

構成

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET):金属酸化膜半導体※FET

※FET( Field Effect Transistor):電界効果トランジスタ。電圧制御

材質

シリコンカーバイド(SiC)、エポキシ樹脂EP

工法

マスク(パターン形成)→ウェハー処理(FET形成→配線→検査)→組み立て(パッケージ)

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