トランジスター

トランジスター

電子回路上で増幅やスイッチとして使用される半導体素子 。
昔の真空管に代わってエレクトロニクスの主役となった。

トランジスタ(Transistor)は3端子で構成されたもので、バイポーラトランジスタ( Bipolar transistor)とMOS FETトランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)の2種類がある。

いずれも、アナログ回路では増幅、デジタル回路ではスイッチとして使用する。

自動車用途では、万が一にも火災にならないように、ショート時には、たね火を残さず瞬時に断線する構造が求められる。

バイポーラトランジスタではベース(入力端子)、コレクタ(出力端子)、エミッタ(接地端子)。ベースの入力電流を変えて使う。100~700倍の直流電流増幅率でコレクタ電流を得ることができる。半導体の使用方法でPNP型とNPN型とがある。

FETトランジスタではMOS金属酸化膜半導体(Metal Oxide Semiconductor)型と呼ばれるものが多く、ゲート(入力端子)、ドレイン(出力端子)、ソース(接地端子)と呼ばれる。ゲートの入力電圧を変えて使う。

バイポーラトランジスタに比べて応答時間が速い。そのため、ICのクロック信号などの微細時間電圧にも反応するようになるため、バイポーラトランジスタからの置き換えの回路設計では注意を要する。

MOS FETトランジスタはn型MOSFET と P型MOSFETがあるが、近年ではICの集積度を上げるため同一基板にN型と P型のMOSFETを集積するCMOS(Complementary MOS)FETが主流になっている。

サイズ

3㎜~40㎜

構成

PNP、 NPN、FET、 MOSFET、 CMOSFET

材質

シリコーンウエハー、端子、樹脂モールド(熱硬化性エポキシ樹脂)

工法

前工程

①成膜工程②露光・現象工程③エッチング工程④不純物拡散工程

後工程

①ダイシング②マウント③ボンディング④モールド⑤マーキング

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