IC

集積回路。Integrated Circuitの略。「半導体チップ」の表面にダイオードやトランジスタ、コンデンサ、抵抗などの多数の素子が印刷されている電子回路部品。配線は年々細くなり、0.1μm(0.0001㎜)以下のものもある。

1つの半導体チップ上に約1000個以上の素子を集積化した集積回路をLSI、10万個以上の素子を集積した集積回路をVLSI と呼ぶ。

トランジスタ構造は、消費電力の小さい※CMOSFETが主流になっているが、消費電力の大きいパワートランジスターなどは搭載できないため、ICは万能ではない。機能から見るとマイクロプロセッサーのような論理演算用とメモリー用途になる

※FET（ Field Effect Transistor）：電界効果トランジスタ

※MOS FET（Metal Oxide Semiconductor FET）：金属酸化膜半導体FET。n型MOSFET と p型MOSFETがある。

※CMOS FET（Complementary　MOS FET ）:ICの集積度を上げるため、同一基板にn型と p型のMOSFETを集積する構造。

サイズ

5mm～35mm

シリコーンウエハー、リード線、樹脂モールド（熱硬化性エポキシ樹脂）

①成膜工程：ウエハー上に薄膜を形成。

②露光・現象工程：微細パターンを焼き付ける。

③エッチング工程：不要な部分を削りだす

④不純物拡散工程：不純物を添加して、P型・N型の半導体領域を形成する

①ダイシング：ウエハーをペレット状に切る。ダイヤモンド刃カッターを使用

②マウント：良品チップを回路基板にチップを固定する。

③ボンディング：チップとリードを接続

④モールド：チップ保護のため、樹脂ケースにモールド

⑤マーキング：最後に刻印をする。