EEPROM
※EEPROMは通電がなくても記憶する※ROM の一種。バイト単位で細かく書き換えできる。コンピュータなどの電子機器で電源を切っても保持しておくべき、設定条件などのデータを格納するのに使われている。
フラッシュメモリはこのEEPROMの改良版。フラッシュメモリは数十キロバイト単位で大きく書き換える。そのため回路が簡素化され安価に大容量化が実現されている。ただしフラッシュメモリのデータ読み書き速度は、※DRAM／※SRAMのどちらと比べても基本的に遅い。しかし、フラッシュメモリは安価なため、SDメモリーカードやUSBメモリのような携帯用の記憶デバイスとして使われている。
＜用語解説＞
※ROM （Read Only Memory）：通電がなくても記憶する半導体記憶装置
※EEPROM（Electric Erasable Programmable Read Only Memory）：バイト単位で細かく書き換えできる
※FLASH EEPROM：低速、低価格。フラッシュメモリ－のこと数十キロバイト単位で大きく書き換える。
※RAM（Random Access Memory)：通電をやめると記憶が失われる半導体記憶装置
※DRAM(Dynamic RAM）：安価で大容量。作業用のメインメモリー用途
※SRAM(Static RAM）：少容量だが処理速度は最速、はるかに高価格。CPU内部のキャッシュメモリ用途
サイズ
5㎜～30㎜
構成
EEPROM、フラッシュメモリ (FLASH EEPROM)
材質
シリコーンウエハー、リード線、樹脂モールド（熱硬化性エポキシ樹脂）
工法
前工程
①成膜工程②露光・現象工程③エッチング工程④不純物拡散工程
後工程
①ダイシング②マウント③ボンディング④モールド⑤マーキング
