トランジスター
電子回路上で増幅やスイッチとして使用される半導体素子 。
昔の真空管に代わってエレクトロニクスの主役となった。
トランジスタ（Transistor）は3端子で構成されたもので、バイポーラトランジスタ（ Bipolar transistor）とMOS FETトランジスタ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）の2種類がある。
いずれも、アナログ回路では増幅、デジタル回路ではスイッチとして使用する。
自動車用途では、ショート時には、万が一にも火災にならないように、たね火を残さず瞬時に断線する構造が求められる。
バイポーラトランジスタではベース（入力端子）、コレクタ(出力端子)、エミッタ（接地端子）。ベースの入力電流を変えて使う。100～700倍の直流電流増幅率でコレクタ電流を得ることができる。半導体の使用方法でPNP型とNPN型とがある。
FETトランジスタではMOS金属酸化膜半導体(Metal Oxide Semiconductor)型と呼ばれるものが多く、ゲート（入力端子）、ドレイン(出力端子)、ソース（接地端子）と呼ばれる。ゲートの入力電圧を変えて使う。
バイポーラトランジスタに比べて応答時間が速い。そのため、ICのクロック信号などの微細時間電圧にも反応するようになるため、バイポーラトランジスタからの置き換えの回路設計では注意を要する。
MOS FETトランジスタはn型MOSFET と P型MOSFETがあるが、近年ではICの集積度を上げるため同一基板にN型と P型のMOSFETを集積するCMOS(Complementary MOS)FETが主流になっている。
サイズ
3㎜～40㎜
構成
PNP、 NPN、FET、 MOSFET、 CMOSFET
材質
シリコーンウエハー、端子、樹脂モールド（熱硬化性エポキシ樹脂）
工法
前工程
①成膜工程②露光・現象工程③エッチング工程④不純物拡散工程
後工程
①ダイシング②マウント③ボンディング④モールド⑤マーキング
