パワーECU用パワー半導体(IGBTデバイス)
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は大電流に適した半導体。少ない電力で高電力を駆動できる。
IGBTデバイスは昔の(バイポーラ)トランジスタの耐電圧と最近の（MOS）FETトランジスタの高応答性のそれぞれの長所を併せ持つように考案された複合体。
冷却方式はヒートシンクにグリースを介して放熱する方式や、放熱フィンを冷却水に浸す直接冷却方式、チップの両側に放熱フィンを配置した両面冷却方式などがあるが、IGBTデバイスはFETと比べると応答性が不十分で、発熱量も大きいため改良の余地がある。
※IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ：
※バイポーラトランジスタ:昔からあるトランジスタ。電流制御
※ FET（ Field Effect Transistor）：電界効果トランジスタ。電圧制御
※MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET）:金属酸化膜半導体FET
サイズ
150㎜
構成
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
入力部がMOS形FET
出力部がpn接合バイポーラ形 トランジスタ構造
材質
シリコン（Si）、エポキシ樹脂EP
工法
マスク（パターン形成）→ウェハー処理（トランジスタ形成→配線→検査）→組み立て(パッケージ)
