パワーECU用パワー半導体(SiCデバイス)
シリコン(Si)の代わりにシリコンカーバイド（SiC）を使用した次世代パワーデバイス。小型化、低発熱が目的。電力損失は半分以下、発熱量も減り、冷却システムも簡素化する。シリコンカーバイド（SiC）は、けい素（Si）と炭素（C）の化合物。絶縁破壊電圧や熱伝
導率が高いなどパワーデバイスとして有利な物性を持つため，高耐圧・低損失・高温動作
デバイスが実現できる。特に、絶縁破壊電圧は Si の約 10 倍あり，Si の 1/10 の厚さに
しても同じ電圧に耐えられるため，低抵抗化できる。
サイズ
50㎜
構成
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET）:金属酸化膜半導体※FET
※FET（ Field Effect Transistor）：電界効果トランジスタ。電圧制御
材質
シリコンカーバイド（SiC）、エポキシ樹脂EP
工法
マスク（パターン形成）→ウェハー処理（FET形成→配線→検査）→組み立て(パッケージ)
