パワーECU用パワー半導体(GaNデバイス)
GaN デバイスは窒化ガリウム（GaN）を素材にする次世代の低発熱のパワー半導体。
従来のシリコン (Si)ベースのパワー半導体ではスイッチング損失が大きく、大電力や高周波用途では発熱が大きい欠点がある。そのため、次世代型としてシリコン(Si)の代わりに発熱の少ない窒化ガリウム（GaN）を使い小型、高応答性、低発熱なパワー半導体(GaNデバイス)が開発されている。
電力損失は理論上約3桁小さいオン抵抗が特徴で高速スイッチングを実現できる。発熱量も大幅に減り、冷却システムも簡素化する。
画像は環境省製 試作GaNパワーデバイス（2019東京モーターショー）。
サイズ
50㎜
構成
pn接合形FET
※pn接合形：p型半導体とn型半導体が一つの結晶内で接合。
※FET（ Field Effect Transistor）：電界効果トランジスタ。電圧制御。
材質
窒化ガリウム（GaN）、エポキシ樹脂EP
工法
マスク（パターン形成）→ウェハー処理（FET形成→配線→検査）→組み立て(パッケージ)
